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本设备为双靶磁控溅射镀膜仪，可用于金属薄膜的制备，在电子领域、光学领域、特殊陶瓷制备等领域均有应用，也可实验室SEM样品制备。
双靶磁控溅射镀膜仪配置结构：
设备配有两支磁控靶，两套直流电源，可用于镀多层导电金属膜。同时设备具有主腔室和过渡舱两部分，过渡舱配有磁力推杆，两个舱室之间装有真空闸板阀；用户可以在主腔室进行溅射工作的同时，在过渡舱装填样品，并进行真空预抽，待主腔室溅射完成后即可将样品通过磁力推杆推入主腔室的样品台。这样的设计能够减少主腔室抽放真空的次数，不仅能有效节省时间，更能保证更好的本地真空，有效提高镀膜质量。
双靶磁控溅射镀膜仪技术参数：
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产品名称 |
带过渡舱型双靶磁控溅射镀膜仪 |
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产品型号 |
CY-MSP325G-2T-DVC-2DC（double vacuum chamber） |
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安装条件 |
1、使用环境温度 25℃±15℃，湿度 55%Rh±10%Rh； 2、设备供电：AC220V，50Hz，必须有良好接地； 3、额定功率：5000w； 4、设备用气：设备腔室内需充注氩气清洗，需客户自备氩气，纯度 ≥99.99%； 5、摆放场地尺寸要求 1200mm×1200mm×2000mm； 6、摆放位置要求通风散热良好。 |
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技术参数 |
1、 溅射电源：直流电源500W x2；*大输出电压600V，极限输出电流1000mA 2、 磁控靶：2英寸平衡靶，配磁耦合挡板； 3、 磁控靶适用靶材： φ50mm x 3mm厚导电金属靶材 4、 腔体尺寸：主腔体φ325mm x 410mm；过渡腔体150x150x150mm 5、 腔体功能：主腔体配有密封圈密封的侧开门，带挡板的石英观察窗，及转移样品用的手动操作杆。过渡腔体配有密封圈密封的带石英视窗的上盖，运送样品进主腔体的磁耦合推杆，独立的真空系统。 6、 腔体材质： 不锈钢304 7、 旋转加热样品台：转速1~20rpm 连续可调；加热温度*高500℃，升温速度推荐10℃/min，*高20℃/min。 8、 冷却方式：磁控靶及分子泵需要循环水冷机； 9、 水冷机：水箱容积9L，流速10L/min 10、 供气系统：质量流量计， 气体类型Ar气，流量1~200sccm（可定制）； 11、 流量计精度：±1.5%量程 12、 真空腔体抽气接口为 CF160； 13、 进气接口为 1/4 英寸双卡套接头； 14、 显示屏为14工控电脑一体机； 15、 可调节溅射电流，可设置溅射**电流值、**真空值； 16、 **保护：过流、真空过低自动切断溅射电流； 17、 真空系统：主腔体配有CY-GZK103高真空分子泵组，分子泵抽速600L/s；过渡腔体配有小型分子泵组，分子泵抽速60L/s。两组真空系统可独立工作和控制，腔室之间及真空系统内的气动阀均有程序控制，可实现一键动作，方便快捷。 18、 极限真空：5E-4Pa(搭配分子泵)； 19、 真空测量为复合真空计，其量程为：10-5Pa～105Pa |
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注意事项 |
1、 为了达到较高的无氧环境，至少要用高纯惰性气体对真空腔体清洗 3 次。 2、 磁控溅射对进气量比较敏感，需要使用质量流量计控制进气量。 3、 设备不使用时应将腔体保持真空。 4、 长时间未抽真空，再次使用时应进行除气操作，以提高真空性能。 |
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可选配件 |
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膜厚监测仪 |
1、膜厚分辨率：0.0136Å（铝） 2、膜厚准确度：±0.5%，取决于过程条件，特别是传感器的位置， 材料应力，温度和密度 3、测量速度：100ms-1s/次，可设置测量范围：500000Å（铝） 4、标准传感器晶体：6MHz 5、适用晶片频率：6MHz 适用晶片尺寸：Φ14mm 安装法兰：CF35 |
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其他配件 |
1、CY-CZK103系列高性能分子泵组（含复合真空计，测量范围10-5Pa~105Pa）； CY-GZK60系列小型分子泵组（含复合真空计，测量范围10-5Pa~102Pa） VRD-4双极旋片真空泵； 2、KF25/40真空波纹管；长度可选0.5m、1m、1.5m；KF25卡箍支架 3、膜厚仪晶振片； |
