产品详情
  • 产品名称:PLD脉冲激光溅射沉积设备

  • 产品型号:TN-PLD-450
  • 产品厂商:泰诺
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简单介绍:
该PLD脉冲激光溅射沉积设备系列设备主要用于生长光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体和有机化合物薄膜材料,尤其适用于生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料
详情介绍:

双室脉冲激光镀膜机用于生长光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体及有机化合物薄膜材料,适合生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料,广泛应用于大专院校薄膜材料研究及制作。

设备组成:

系统主要由溅射真空室、旋转靶台、抗氧化基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成.

实验室脉冲激光沉积技术参数: 

产品名称

PLD脉冲激光沉积蒸发镀膜仪

产品型号

TN-PLD-450

主真空系统

球形结构,尺寸:直径450mm

载样系统

垂直圆柱形结构,尺寸:直径150×150mm

真空系统配置

主真空室

机械泵、分子泵、阀门

装载样品系统

机械泵、分子泵(与主腔共用)、阀门

极限压力

主真空系统

6*10-6Pa(烘烤、脱气后)

装载样品系统

6*10-3 Pa(烘烤、脱气后)

真空回收系统

主真空系统

20分钟可达5x10-3Pa(系统短暂暴露于大气中,充入干燥氮气即可开始抽气)

装载样品系统

20分钟可达5x10-3Pa(系统短暂暴露于大气中,充入干燥氮气即可开始抽气)

旋转靶台

靶材*大尺寸约60 or 25mm;可一次安装4块靶材,可实现公转换靶; 每块靶材可自转,转速5~60/

基片加热台

样品尺寸

Ø. 51

运动方式

基片可连续回转,转速5~60/

加热温度

基片加热*高温度800C±1  C,可控可调

气路系统

1 回路质量流量控制器,1 回路充气阀

可选配件

激光装置

兼容相干201激光

激光束扫描装置

2D扫描机械平台,进行二自由度扫描。

计算机控制系统

控制内容包括普通转换靶、靶旋转、样品旋转、样品温度控制、激光束扫描等。

设备占地面积

主机

1800 * 1800mm2

电控柜

700 *700mm2(one)