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○ 产品介绍
等离子体增强型化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电（等离子体）使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜生长的一种制备技术。我公司综合了多项实验要求设计生产了四路质子混气管式pecvd系统，能广泛适应各类薄膜研究的需要比如：石墨烯制备、C纳米材料制备、氧化物制备。是一款****的薄膜制备器材
○ 适用范围
能广泛适应各类薄膜研究的需要比如：石墨烯制备、C纳米材料制备、氧化物制备。是一款****的薄膜制备器材
○ 技术参数
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产品特点 |
与普通的CVD系统相比，因为有等离子源的介入,系统的沉积温度相对较低。配备有滑轨式管式炉可以轻松实现快速降温，实现快速退火。操控界面可配备液晶操作系统，图文显示，直观易懂，对于设备的使用操作简单易学该系统较高工作温度接近1150℃，能满足大多数热处理场合。该设备可具体用于：碳、ZnO纳米管或纳米线的制备也可以用于制备单层石墨烯以及各种CVD实验。 |
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等离子发生器 |
输出功率:5～500W±1%.射频频率:13.56 MHz±0.005%.反射功率:较大约200W阻抗匹配:自动 |
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真空泵机组 |
双极旋片泵,极限真空0.1PaKFD25快接，不锈钢波纹管，手动挡板阀与法兰，真空泵相连.管内真空可达1Pa可选：本公司进口的防腐型数字式真空显示计，其测量范围为3.8x10-5至1125 Torr.不需因测量气体种类不同而需要系数转换。（需要另外计算费用 |
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质量流量计 |
三通道的质量流量计(精度0.02%)：数字显示，自动控制.MFC 1范围:0~100 sccmMFC 2和3:0~500 sccm一个混气罐，底部装有泄废液口.进气接口:1/4NPS.出气接口:1/4NPS. |
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水冷系统 |
水冷法兰要求：水流量>=10L/M，配有专业水冷机组。 |
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管式炉 |
炉管直径：80mm炉管长度：1400mm炉膛长度：440mm控温精度：±1℃工作温度：≦1200℃ |
○免责声明
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