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  • 产品名称:等离子增强物理化学气相沉积HPCVD

  • 产品型号:
  • 产品厂商:泰诺
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简单介绍:
等离子增强物理化学气相沉积HPCVD包括一台双温区管式炉,一套钨丝蒸发源,一套等离子发生装置以及一套质量流量计系统,等离子增强物理化学气相沉积HPCVD通过蒸发源将反应物在进气端蒸发后通过气流载入管式炉温区内进行CVD反应。
详情介绍:

○ 产品介绍

HPCVD(等离子增强混合物理化学气相沉积)系统
本产品是一款1200℃等离子增强混合物理化学气相沉积(HPCVD)双温区旋转管式炉系统。该设备包括一台双温区管式炉,一套钨丝蒸发源,一套等离子发生装置以及一套质量流量计系统。其工作原理是通过蒸发源将反应物在进气端蒸发后通过气流载入管式炉温区内进行CVD反应,同时通过等离子增强促进反应的发生,适用于无机复合粉末的热处理及粉末表面的均匀包覆(如:制备锂离子电池阴极粉末的导电涂层等)

○ 技术参数    

双温区管式炉

炉管材质 高纯石英
炉管直径 50mm
炉管长度 1200mm
炉膛长度 400mm
加热区长
200mm+200mm
工作温度 0~1100℃
控温 30段或50段程序控温,±1℃
显示模式 高清全彩LCD触控屏
密封方式 304不锈钢真空法兰
供电电源 AC:220V 50/60Hz  2.5kW

蒸发舟

工作温度 1300℃
蒸发源 钨丝篮,可选配锥形氧化铝坩埚
电偶 S型热电偶
工作电流 ≤30A 
*大功率
500W
供气系统

流量计 四路质子流量计
流量范围 MFC1量程:0~200sccm  MFC2量程:0~200sccm

MFC3量程:0~500sccm  MFC4量程:0~500sccm

分别对应气体H2、 CH4、 N2、 Ar、

测量精度 ±1.5%F.S
重复精度 ±0.2%FS
线性精度
±1%F.S.
响应时间 ≤4s
工作压力 -0.15Mpa~0.15Mpa
流量控制 液晶触摸屏控制,数字显示,每路气体含有针阀单独控制
进气接口 可接1/4NPS或者外径6mm不锈钢管
出气接口 可接1/4NPS或者外径6mm不锈钢管
连接方式
双卡套接头
工作温度
5~45℃
气体预混
配气体预混装置
排气系统

产品型号 TN-GZK103-A
分子泵 涡轮分子泵
前极泵 双极旋片泵
抽气速率 分子泵:600L/S

旋片泵:1.1L/S

综合抽气性能:30分钟真空度可达:5×10E-3Pa

极限真空
5×10E-4Pa
抽气接口 KF40
排气接口 KF16
真空测量 复合真空计

RF输出系统参数

功率/频率
0~300W调/13.56MHz+0.005%
整机效率
≥70%
工作模式
连续输出
功率因素
≥90%
匹配阻抗模式
能够匹配,起辉均匀布满炉管
供电电压/频率
单相交流(187V~153V) 频率50/60Hz
功率稳定度
≤2W
控制模式
内控/PLC 模拟量/RS232/485通讯
正常工作反射功率
≤3W
电源保护设置
DC过流保护,功放过温保护,反射功率保护
放大反射功率
≤70W
冷却方式
强制风冷
谐波分量
≤-50dBc
起辉长
在Ar下射频电源与线圈配合起辉辉光能布满炉管

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