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CY- MIOP500 为高真空多弧离子镀膜仪,利用电弧放电将导电材料离子化,利用其绕射性好的优势,产生高能离子并沉积在基底上(特别是泡沫镍等多孔基底),制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒。主要由镀膜室、多弧靶、多弧电源、脉冲偏压电源、样品台、加热、真空系统、气路系统、PLC+触摸屏半自动控制系统等组成;该设备主机与控制一体化设计,操控方便;结构紧凑,占地面积小。该系列设备广泛应用于高校、科研院所的教学、科研实验以及生产型企业前期探索性实验及开发新产品等,深受广大用户好评。
高真空多弧离子镀膜仪主要用途:
制备多元非晶合金,制备金属化合物,如氧化物和氮化物薄膜(氧气或氮气氛围),制备纳米颗粒催化剂膜,用热电材料靶材制备热电效应薄膜。
高真空多弧离子镀膜仪主要技术参数:
1.真空腔室 |
Ф500×H420mm,304 上等不锈钢,前开门结构; 腔室加热温度:室温~350±1℃; |
2.真空系统 |
复合分子泵+直联旋片泵+高真空阀门组合的高真空系统,数显复合真空计; |
3.真空极限 |
优于 6.0×10-5Pa(空载,经烘烤除气后); |
4.漏率 |
设备升压率≤0.8Pa/h; 设备保压:停泵 12 小时候后,真空≤10Pa; |
5.抽速 |
(空载)从大气抽至 5.0×10-3Pa≤15min; |
6.基片台尺寸 |
Φ150mm,自转工位 3 个; |
7.基片台旋转 |
基片旋转:0~20 转/分钟; |
8.溅射靶 |
DN100 新型磁过滤多弧靶 2 套 |
9.脉冲偏压电源 |
-1000V,1 套; |
11.控制方式 |
PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统; |
12.报警及保护 |
对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施;完善 的逻辑程序互锁保护系统; |
13.占地 |
(主机)L1900×W800×H1900(mm)。 |